Thin film etchants

Request a sample

Transene products find extensive use in semiconductor microelectronics and offers a large range of thin film etchants including Al, Al2O3, BOE, Cr, Cr-Si, Cr-SiO, Cu, GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, Ge, Au, Hf, HfO, In2O3, ITO, InP, Fe2O3, Polyimide, MgO, Mo, Nb, NbN, NbO, Ni-Cr, Ni, Ni-V, Pd, Pd, Ru, Si, SiC, SiO2, SiO, Si3N4, Ag, Acier inox, Ta, Ta3N5, Ta2O5, TaSi, Sn, SnO, Ti, TiN, Ti-W, W, SnO

Have a question? Get in touch

Solutions de gravure couches minces

Couche	Solution de gravure	Vitesse d'attaque	Résine recommandée	Application
Aluminium
Al	TYPE A	30 Å/sec @ 25°C // 80 Å/sec @ 40°C	Négative & Positive	Semi-conducteur & Circuits intégrés, GaAs & GaP, AlSi
Al	TYPE D	40 Å/sec @ 25°C // 125 Å/sec @ 40°C	Négative & Positive	Semi-conducteur & Circuits intégrés, GaAs & GaP, AlSi
Al	TYPE F	30 Å/sec @ 25°C // 80 Å/sec @ 40°C	Négative & Positive	Semi-conducteur & Circuits intégrés, GaAs & GaP, AlSi
Al2O3	TRANSETCH N	120 Å/min @ 180 °C	SiO2	Semi-conducteur
Al2O3	Tantalum Etchant 111	20-30 Å/sec@20 °C		Sapphire
BOE	Buffered Oxide Etch	Variable	Négative	Semi-conducteur & Circuits intégrés
Cr	1020	40 Å/sec @40°C	Négative & Positive	Circuits couches minces, Masque Chrome
Cr	1020	40 Å/sec @40°C	Négative & Positive	Circuits couches minces, Masque Chrome
Cr	1020AC	32 Å/sec @40	Négative & Positive	Circuits couches minces, Masque Chrome
Cr-Si Cr-SiO	Chrome, Cermet TFE	1000 Å/min @ 50 °C	Négative	Circuits couches minces
Cuivre
Cu	CE-100	1 mil/min @ 40 °C
Cu	CE-200	0.5 mil/min @ 40 °C	Positive & Négative	Circuits couches minces
Cu	APS-100	80 Å/sec @ 40 °C	Positive & Négative	Circuits couches minces
Cu	Copper Etch 49-1	22 Å/sec @ 30 °C	Positive & Négative	Compatible Ni
Cu	Copper Etch BTP	150 Å/sec @30 °C	Négative	Compatible Ni
Gallium
GaAs	GA ETCH 100	100 Å/sec @ 40 °C	Négative	Circuits micro-électronique
GaAs	GA ETCH 200	20 Å/sec @ 5 °C	Négative	Circuits micro-électronique
GaAs	GA ETCH 300	22 Å/sec @ 25 °C	Négative	Circuits micro-électronique
GaAs	AB ETCH	Defect Delineation	Négative	Tests semi-conducteurs
GaN	Gallium Nitride	80 A/min	SiO2	LED
Ga2O3	Gallium Oxide	10 Å/sec @ 25 °C	Négative	Circuits micro-électronique
GaP	Gallium Phosphide	A Face(Ga): 115 micron/hr @ 80 °C B Face (P): 210 micron/hr @ 80 °C	Négative	LED
Ge	Germanium	250 Å/sec @ 20 °C	Négative	Semi-conducteurs
OR
Au	TFA	28 Å/sec @ 25 °C	Négative & Positive	Circuits couches minces
Au	TFAC	30 Å/sec @ 60 °C	Négative	GaAs compatible
Au	GE-8148	50 Å/sec @ 25 °C	Négative & Positive	Compatible Ni
Au	GE-8110	15 Å/sec @ 25 °C	Négative & Positive	Compatible Ni
Au	GE-8111	15 Å/sec @ 25 °C	Négative & Positive	Compatible Ni
Hf, HfO	Hafnium, Hafnium Oxide	45 Å/sec @ 25 °C, ALD HfO 7.5 Å/sec	Négative	Utiliser Titanium Etch TFT
In2O3 ITO	Indium Oxide Indium Tin Oxide	15 Å/sec @ 25 °C	Négative	Circuits micro-électronique
InP	Indium Phosphide	30 mins @ 25 °C	Négative	Circuits micro-électronique
Fe2O3	Iron Oxide ME-10	50 Å/sec @ 25 °C	Négative & Positive	Circuits micro-électronique
Fe2O3	Iron Oxide ME-10	50 Å/sec @ 25 °C	Négative & Positive	Circuits micro-électronique
Fe2O3	Iron Oxide ME-30	25 Å/sec @ 25 °C	Négative & Positive	Circuits micro-électronique
Polyimide	Kapton Polyimide Etchant	0.013 mil/min @ 40 °C, 0.07 mil/min @ 60 °C	Négative	Polyimide/Stratifiés cuivrés
MgO	Magnesium Oxide Etchant, MgOX12	40 Å/sec @ 30°C	Négative & Positive
Mo	Moly Etchant TFM	55 Å/sec @ 30 °C, 85 Å/sec @ 60 °C	Négative	Circuits micro-électronique
Nb / NbN/ NbO	Niobium, Niobium Nitride, Niobium Oxide	50Å / sec @ 25 oC	Négative	Micro-électronique
Ni-Cr	Nichrome Etchants TFN	50 Å/sec @ 40 °C	Négative & Positive	Circuits couches minces
Nickel et alliages
Ni	TFB	30 Å/sec @25 °C	Négative & Positive	Circuits couches minces
Ni	TFG	50 Å/sec @ 40 °C	Négative & Positive	Circuits couches minces
Ni	Type I	3 mil/hr @ 40 °C	Négative & Positive	Circuits couches minces
Ni-V	Nickel-Vanadium Etch	30 Å/sec @ 20 °C	Négative & Positive	Micro-électronique
Pd	Palladium Etchants TFP	110 Å/sec @ 50 °C	Négative & Positive	Semi-conducteur & Circuits couches minces
Pd	Palladium Etchants EC			Gravure électro-chimique

Reagent semiconductor etchants (RSE)

Couche	Solution de gravure	Vitesse d'attaque	Résine recommndée	Application
Ru	RUTHENIUM ETCH	20 Å/sec @ 20 °C	Négative & Positive	Micro-électronique

Semiconductor delination etchants

Couche	Solution de gravure	Vitesse d'attaque	Résine recommndée	Application
Si	SILICON MESA ETCH	Variable	KMER	Semi-conducteur
Si	REAGENT SEMICONDUCTOR ETCHANTS (RSE)	Variable	KMER	Semi-conducteur
Si	SILICON SLOW ETCH	Variable	PKP Type I	Semi-conducteur
SILICON
Si	PSE 200	1 mil/3 min @ 100 °C		Semi-conducteurs
Si	PSE 300	25 m/hr @ 100 °C		Semi-conducteurs
Cellules solaires
Si	SCE-200	1 hr @ 75-100 °C		Cellules solaires
Si	SCE-300	5-10 min @ 118 °C		Cellules solaires
Si	WRIGHT ETCHANT	Defect Characterization	N/A	Tests semi-conducteurs
Si	SIRTL ETCHANT	Defect Characterization	N/A	Tests semi-conducteurs
SiC	SILICON CARBIDE	80 Å/min	Négative	LED
SiO2	BUFFER HF IMPROVED	800Å/min @ 25 °C, Thermally Grown	Négative	Semi-conducteur & Circuits intégrés
SiO2	BD ETCHANT	Variable	Négative	PSG/BSG
SiO2	TIMETCH	90 Å/min @ 25 °C	Négative	CVD
SiO2	SILOX VAPOX III	4000 Å/min @ 22 °C	Négative	CVD, Compatible Al
SiO2	AIPAD Etch 639	5000 Å/min

Menu

Committed to Quality

Locations

Thin film etchants

Solutions de gravure couches minces

Reagent semiconductor etchants (RSE)

Semiconductor delination etchants

Solutions de gravure couches minces

Reagent semiconductor etchants (RSE)

Semiconductor delination etchants

Document title